存储板块交易了涨价、扩产、新工艺的代工，一代工艺，一代设备，市场近期开始交易新工艺对应的新设备了，混合键合设备将是未来5年先进封装领域最核心的设备之一，但应用不局限于封装。
1、混合键合是什么？键合作为实现电气互联的关键步骤始终中后道最关键的工艺之一，从性能来讲，封装技术一直在向着更高的I/O密度和更短的trace length演进，目前2.5D/3D封装主流的键合工艺路线是TCB，伴随着I/O密度提升，尤其是bump pitch进入10微米以下，混合键合成为必须（主流的TCB必须使用助焊剂，更小的bump pitch容易产生短路，无助焊剂的TCB可以作为过渡方案，但是10微米以下必须使用混合键合）
2、上一阶段混合键合备受关注是为何？此前市场对混合键合关注度最高的阶段是在2023-2024年上半年，因为预期SK 海力士和三星将在HBM4及以后的工艺中使用混合键合，但伴随着JEDEC 把 HBM4 封装厚度从 720 μm 放宽到 775 μm，TCB仍然具备量产优势，因此混合键合在HBM上的应用时间表有所延迟。
4、当前的产业进展以及有哪些应用场景？-先进工艺、先进封装、先进材料、先进显示均有应用
1）CIS领域，渗透率100%：当前量产的CIS工艺领域，混合键合是100%的渗透率；
2）NAND领域，渗透率逐步提升中：当前只有长江存储大规模量产应用，铠侠于2025年在其218L的产品中引入混合键合；三星和SK海力士预计于2026年在其4xxL产品中引入混合键合，伴随大厂入局，NAND领域混合键合工艺渗透率有望快速提升。SEMI预计到2029年，混合键合将占据NAND 三分之二的市场应用。
3）DRAM领域，新架构预计迎来混合键合从0到1的应用。在新架构方面，制程微缩使得DRAM厂商考虑转向4F2架构，4F2+CBA成为最有可能量产的技术路线，而对于国内来说，缺乏高精度光刻机使得3D架构的商业化更为紧迫，相关产业信息已经指向比较明确的量产节点，4F2+CBA类似长存的x-tacking的立体架构，同样需要使用混合键合。
4）先进封装领域，SOIC已有应用，HBM方面，混合键合预计在HBM5（20层）中成为必选项。台积电是在先进封装领域引入混合键合最早的玩家，已应用于AMD V-Cache，近期产业信息显示，NV的下一代rubin将首次使用台积电SOIC工艺。HBM方面，在HBM4E中，各家原厂积极导入混合键合的量产验证，20层的HBM5中，混合键合成为必选工艺（预计在2028年）。
5）先进逻辑领域，背面供电&CFET预计使用混合键合。
6）其他： SOI材料、micro led巨量转移、光电共封装等。
5、市场规模有多大？BESI中性预测2030年全球混合键合设备市场规模大约12亿美元，对应了350台套。此数字建议仅作参考，产业爆发非线性
6、竞争格局：BESI和EVG相对入局最早，国内厂商也在积极导入验证，进展相对较快的公司为芯慧联芯和拓荆键科，前者绑定长鑫，后者和长存合作紧密。当前下游正在前期研发/量产验证中，机构正在关注密切配合大客户的验证的设备厂。
7、核心标的：拓荆科技（拓荆键科，大基金三期入股）、百傲化学（芯慧联&芯慧联芯）、北方华创（北京诺合键维）。
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